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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4935BZCopie
Code Commande
Mise en bobine34M6130
Bandes découpées34M6130
Votre numéro de pièce
6 250 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,890 $ | 9,45 $ |
| Total Prix | 9,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,890 $ |
| 10+ | 1,660 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 100+ | 1,200 $ |
| 250+ | 1,090 $ |
| 500+ | 0,969 $ |
| 1000+ | 0,937 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4935BZCopie
Code Commande
Mise en bobine34M6130
Bandes découpées34M6130
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id6.9A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
6.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour FDS4935BZ
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
