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FDS6679AZ
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6679AZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine75M2466
Bandes découpées75M2466
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106 156 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,280 $ | 2,28 $ |
| Total Prix | 2,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,280 $ |
| 10+ | 1,360 $ |
| 25+ | 1,260 $ |
| 50+ | 1,160 $ |
| 100+ | 1,070 $ |
| 250+ | 0,964 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6679AZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine75M2466
Bandes découpées75M2466
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
On Resistance Rds(on)0.0077ohm
Drain Source On State Resistance0.0077ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 6kV typical HBM ESD protection level
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.0077ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit