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FDS6975
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6975Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète71P5229
Mise en bobine38C7178
Bandes découpées38C7178
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 1,160 $ | 2 900,00 $ |
| Total Prix | 2 900,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,160 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,010 $ |
| 7500+ | 0,956 $ |
| 12500+ | 0,937 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6975Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète71P5229
Mise en bobine38C7178
Bandes découpées38C7178
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Applications
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit