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FDS8447
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8447
Code Commande
Bobine complète30M0750
Mise en bobine67P3490
Bandes découpées67P3490
Votre numéro de pièce
Fiche technique
4 362 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,740 $ |
| 10+ | 1,140 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 1,050 $ |
| 100+ | 0,994 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,533 $ |
| 3000+ | 0,523 $ |
| 6000+ | 0,492 $ |
| 12000+ | 0,469 $ |
| 18000+ | 0,445 $ |
| 30000+ | 0,431 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8447
Code Commande
Bobine complète30M0750
Mise en bobine67P3490
Bandes découpées67P3490
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id12.8A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS8447 is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.8A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits