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FDS8672S
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8672SCopie
Code Commande
Mise en bobine84W8872
Bandes découpées84W8872
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361 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,670 $ | 2,67 $ |
| Total Prix | 2,67 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,670 $ |
| 10+ | 2,020 $ |
| 25+ | 1,910 $ |
| 50+ | 1,810 $ |
| 100+ | 1,700 $ |
| 250+ | 1,620 $ |
| 500+ | 1,420 $ |
| 1000+ | 1,230 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8672SCopie
Code Commande
Mise en bobine84W8872
Bandes découpées84W8872
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.0038ohm
Drain Source On State Resistance0.0038ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Produits de remplacement pour FDS8672S
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.0038ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificat de conformité du produit