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FDS89141
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS89141
Code Commande
Bobine complète27T6448
Mise en bobine88T3365
Bandes découpées88T3365
Votre numéro de pièce
1 318 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 5,760 $ | 28,80 $ |
| Total Prix | 28,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,760 $ |
| 10+ | 4,010 $ |
| 25+ | 3,670 $ |
| 50+ | 3,350 $ |
| 100+ | 3,020 $ |
| 250+ | 2,880 $ |
| 500+ | 2,730 $ |
| 1000+ | 2,590 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,080 $ |
| 3000+ | 2,940 $ |
| 6000+ | 2,830 $ |
| 12000+ | 2,620 $ |
| 18000+ | 2,550 $ |
| 30000+ | 2,480 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS89141
Code Commande
Bobine complète27T6448
Mise en bobine88T3365
Bandes découpées88T3365
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.047ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.047ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 18A Pulsed drain current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.047ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.047ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits