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FDS9934C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 0,512 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 280,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS9934C
Code Commande60J0609
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit