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FDS9958
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS9958Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande78M0965
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 30 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,855 $ |
| 7500+ | 0,811 $ |
| 12500+ | 0,794 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 137,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS9958Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande78M0965
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.082ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.082ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS9958 is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for portable electronics applications like load switching and power management, battery charging and protection circuits.
- ±20V Gate to source voltage
- -2.9A Continuous drain current
- -12A Pulsed drain current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.082ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.082ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit