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FDT86246L
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2 A, 0.228 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT86246LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4983
Mise en bobine07AH3947RL
Bandes découpées07AH3947
Gamme de produitPowerTrench Series
Votre numéro de pièce
2 942 En Stock
2 942 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,300 $ | 2,30 $ |
| Total Prix | 2,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,300 $ |
| 50+ | 1,440 $ |
| 100+ | 0,965 $ |
| 250+ | 0,888 $ |
| 500+ | 0,697 $ |
| 1000+ | 0,636 $ |
| 2500+ | 0,584 $ |
| 5000+ | 0,573 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,587 $ |
| 12000+ | 0,550 $ |
| 20000+ | 0,539 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT86246LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4983
Mise en bobine07AH3947RL
Bandes découpées07AH3947
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.228ohm
On Resistance Rds(on)0.189ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd2.2W
Power Dissipation2.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.228ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.2W
No. of Pins
4Pins
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.189ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit