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FDV301N
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 15000+ | 0,050 $ |
| 30000+ | 0,048 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 15000
Multiple: 15000
750,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDV301N
Code Commande67R2086
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source On State Resistance4ohm
On Resistance Rds(on)3.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd350mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDV301N is a 25V N-channel Digital Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this one N-channel FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS(th)<lt/>1.06V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (<gt/>6kV human body model)
- Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET
- 8V Gate source voltage (VGSS)
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
On Resistance Rds(on)
3.1ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit