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FDV301N
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | FDV301NCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2086 Mise en bobine58K8856RL Bandes découpées58K8856 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
14 382 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,320 $ | 0,32 $ |
| Total Prix | 0,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,320 $ |
| 50+ | 0,147 $ |
| 100+ | 0,131 $ |
| 250+ | 0,115 $ |
| 500+ | 0,099 $ |
| 1000+ | 0,097 $ |
| 2500+ | 0,095 $ |
| 5000+ | 0,093 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,071 $ |
| 6000+ | 0,064 $ |
| 9000+ | 0,063 $ |
| 15000+ | 0,062 $ |
| 30000+ | 0,060 $ |
| 75000+ | 0,059 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | FDV301NCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2086 Mise en bobine58K8856RL Bandes découpées58K8856 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 25V |
| Continuous Drain Current Id | 220mA |
| Drain Source On State Resistance | 4ohm |
| On Resistance Rds(on) | 3.1ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 350mW |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 850mV |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Power Dissipation | 350mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The FDV301N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 220mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 25V |
| Drain Source On State Resistance | 4ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 220mA |
| On Resistance Rds(on) | 3.1ohm |
| Power Dissipation Pd | 350mW |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 850mV |
| Power Dissipation | 350mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits associés
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |