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FDV305N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,616 $ |
| 25+ | 0,362 $ |
| 50+ | 0,273 $ |
| 100+ | 0,184 $ |
| 250+ | 0,184 $ |
| 500+ | 0,182 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDV305N
Code Commande82C2601
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id900mA
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd350mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The FDV305N is a N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
350mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDV305N
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits