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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSD08120A
Code Commande62AC6877
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
679 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 7,300 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,30 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSD08120A
Code Commande62AC6877
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge55nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
55nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FFSD08120A
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits