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FFSH1265BDN-F085
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Dual Common Cathode, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH1265BDN-F085
Code Commande41AH1925
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,550 $ |
| 10+ | 6,700 $ |
| 25+ | 6,400 $ |
| 50+ | 6,170 $ |
| 100+ | 5,960 $ |
| 250+ | 5,870 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH1265BDN-F085
Code Commande41AH1925
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current12A
Total Capacitive Charge16nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
16nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Dual Common Cathode
Average Forward Current
12A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit