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FFSH20120ADN-F155
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Dual Common Cathode, 1.2 kV, 20 A, 62 nC, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH20120ADN-F155
Code Commande48AC1062
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
410 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,840 $ |
| 10+ | 10,070 $ |
| 25+ | 10,060 $ |
| 50+ | 9,390 $ |
| 100+ | 9,390 $ |
| 250+ | 9,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,84 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH20120ADN-F155
Code Commande48AC1062
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge62nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
62nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead
Diode Configuration
Dual Common Cathode
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits