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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH50120A
Code Commande62AC6888
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
1 660 En Stock
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Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 38,020 $ |
5+ | 36,830 $ |
10+ | 35,630 $ |
25+ | 34,450 $ |
50+ | 33,250 $ |
100+ | 32,530 $ |
250+ | 31,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
38,02 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSH50120A
Code Commande62AC6888
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current50A
Total Capacitive Charge252nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
252nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
50A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit