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FFSM1265A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSM1265ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine65AC4736RL
Bandes découpées65AC4736
Gamme de produitEliteSiC Series
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,320 $ | 6,32 $ |
| Total Prix | 6,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,320 $ |
| 50+ | 3,950 $ |
| 100+ | 2,970 $ |
| 250+ | 2,880 $ |
| 500+ | 2,780 $ |
| 1000+ | 2,600 $ |
| 2500+ | 2,540 $ |
| 5000+ | 2,500 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSM1265ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine65AC4736RL
Bandes découpées65AC4736
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current12A
Total Capacitive Charge40nC
Diode Case StyleQFN
No. of Pins4 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
40nC
No. of Pins
4 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
12A
Diode Case Style
QFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit