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FJP13007TU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFJP13007TUCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant7 semaines
Code Commande84H4642
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFJP13007TUCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant7 semaines
Code Commande84H4642
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo400V
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation80W
Power Dissipation Pd80W
DC Collector Current8A
DC Current Gain hFE8hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-220
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FJP13007TU is an NPN Silicon Transistor features high voltage fast switching and suitable for electronic ballast and switching regulator.
- High voltage capability
- High speed switching
Applications
Lighting, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
80W
DC Collector Current
8A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
400V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation Pd
80W
DC Current Gain hFE
8hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits