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FJP13009H2TU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,160 $ |
| 10+ | 2,520 $ |
| 100+ | 1,780 $ |
| 500+ | 1,480 $ |
| 1000+ | 1,290 $ |
| 3000+ | 1,260 $ |
| 5000+ | 1,240 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFJP13009H2TU
Code Commande84H4645
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo400V
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current12A
Power Dissipation100W
Power Dissipation Pd100W
DC Collector Current12A
DC Current Gain hFE8hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-220
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FJP13009H2TU is a high voltage fast-switching NPN epitaxial planar Power Transistor. The FJP13009H2TU is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. Designed for high speed switching applications and offers excellent power dissipation.
- High voltage capability
- High switching speed
- 700V Collector-base voltage
- 9V Emitter-base voltage
- 6A Base current
Applications
Lighting, Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
100W
DC Collector Current
12A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
400V
Continuous Collector Current
12A
Power Dissipation Pd
100W
DC Current Gain hFE
8hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit