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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB27P06TM
Code Commande
Bobine complète29X6713
Bandes découpées58K1517
Votre numéro de pièce
Fiche technique
26 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,080 $ |
| 10+ | 2,980 $ |
| 25+ | 2,740 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,050 $ |
| 3000+ | 1,950 $ |
| 6000+ | 1,880 $ |
| 12000+ | 1,740 $ |
| 18000+ | 1,690 $ |
| 30000+ | 1,640 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB27P06TM
Code Commande
Bobine complète29X6713
Bandes découpées58K1517
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd120W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Produits de remplacement pour FQB27P06TM
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The FQB27P06TM is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- 175°C rated junction temperature
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
120W
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit