Imprimer la page
FQB27P06TM
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 27 A, 70 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB27P06TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K1517
Bandes découpées58K1517
Votre numéro de pièce
5 624 En Stock
Vous en voulez davantage ?
24 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
5600 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,310 $ | 4,31 $ |
| Total Prix | 4,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,310 $ |
| 10+ | 2,950 $ |
| 25+ | 2,690 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB27P06TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K1517
Bandes découpées58K1517
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd120W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FQB27P06TM is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- 175°C rated junction temperature
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
120W
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQB27P06TM
1 produit trouvé
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit