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FQB44N10TM
MISCELLANEOUS MOSFETS
800 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,250 $ | 5,25 $ |
| Total Prix | 5,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,250 $ |
| 50+ | 3,540 $ |
| 100+ | 2,690 $ |
| 250+ | 2,450 $ |
| 500+ | 2,210 $ |
| 1000+ | 2,170 $ |
| 2500+ | 2,130 $ |
| 5000+ | 2,090 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB44N10TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine54AH8749RL
Bandes découpées54AH8749
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id43.5A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd146W
Power Dissipation146W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
146W
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
43.5A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
146W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQB44N10TM
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit