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633 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,850 $ |
| 10+ | 2,410 $ |
| 25+ | 2,310 $ |
| 50+ | 2,230 $ |
| 100+ | 2,130 $ |
| 250+ | 2,100 $ |
| 500+ | 2,060 $ |
| 1600+ | 1,960 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,85 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB55N10TM
Code Commande46AC0856
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd155W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation155W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
155W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
155W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQB55N10TM
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits