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FQD12N20LTM

Name: ONSEMI FQD12N20LTM
Brand: ONSEMI
SKU: 06R2503
Availability: InStock

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Surface Mount

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ONSEMI FQD12N20LTM Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Surface Mount

FabricantONSEMI

Réf. FabricantFQD12N20LTMCopie

Délai d’approvisionnement standard du fabricant45 semaines

Code Commande

Bobine complète82C4012

Mise en bobine06R2503RL

Bandes découpées06R2503

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Fiche technique

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Bobine complète

(Min : 2500 / Mult : 2500)

Mise en bobine

(Min : 10 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	1	2,200 $	2,20 $
Total Prix			2,20 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Quantité	Prix
1+	2,200 $
50+	1,450 $
100+	1,010 $
250+	0,922 $
500+	0,829 $
1000+	0,770 $
2500+	0,754 $
5000+	0,738 $

Bobine complète

Quantité	Prix
2500+	0,755 $
3000+	0,741 $
6000+	0,697 $
12000+	0,662 $
18000+	0,627 $
30000+	0,608 $

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Informations produit

FabricantONSEMI

Réf. FabricantFQD12N20LTMCopie

Délai d’approvisionnement standard du fabricant45 semaines

Code Commande

Bobine complète82C4012

Mise en bobine06R2503RL

Bandes découpées06R2503

Fiche technique

Data Sheet

Transistor PolarityN Channel

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds200V

Continuous Drain Current Id9A

On Resistance Rds(on)0.22ohm

Drain Source On State Resistance0.28ohm

Transistor MountingSurface Mount

Power Dissipation Pd2.5W

Rds(on) Test Voltage10V

Transistor Case StyleTO-252AA

Gate Source Threshold Voltage Max2V

Power Dissipation2.5W

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Qualification-

Product Range-

MSLMSL 1 - Unlimited

SVHCLead

Aperçu du produit

The FQD12N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

100% Avalanche tested
16nC Typical low gate charge
17pF Typical low Crss

Applications

Power Management, Lighting, Industrial

Spécifications techniques

Transistor Polarity

N Channel

Drain Source Voltage Vds

200V

On Resistance Rds(on)

0.22ohm

Transistor Mounting

Surface Mount

Rds(on) Test Voltage

10V

Gate Source Threshold Voltage Max

No. of Pins

3Pins

Qualification

MSL

MSL 1 - Unlimited

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

Drain Source On State Resistance

0.28ohm

Power Dissipation Pd

2.5W

Transistor Case Style

TO-252AA

Power Dissipation

2.5W

Operating Temperature Max

150°C

Product Range

SVHC

Lead

Documents techniques (2)

FQD12N20LTM Data Sheet

Product Change Notice EN

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Législation et Questions environnementales

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui