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FQD16N25CTM
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 10+ | 0,871 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD16N25CTM
Code Commande75M2471
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd160W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Produits de remplacement pour FQD16N25CTM
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 41nC typical low gate charge
- 68pF typical low Crss
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
160W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits