Imprimer la page
FQD17P06TM
MOSFET, P-CHANNEL, -60V, -12A, TO-252-3
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
12 223 En Stock
12 223 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 0,923 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 0,92 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,550 $ |
| 50+ | 1,830 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
| 250+ | 1,160 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
| 1000+ | 0,962 $ |
| 2500+ | 0,942 $ |
| 5000+ | 0,924 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,923 $ |
| 3000+ | 0,907 $ |
| 6000+ | 0,852 $ |
| 12000+ | 0,811 $ |
| 18000+ | 0,769 $ |
| 30000+ | 0,744 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD17P06TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1806
Mise en bobine84Y9965RL
Bandes découpées84Y9965
Gamme de produitQFET
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour FQD17P06TM
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit