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FQD17P06TM
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD17P06TM
Code Commande15R3444
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
1 030 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,498 $ |
| 10+ | 0,498 $ |
| 25+ | 0,498 $ |
| 50+ | 0,498 $ |
| 100+ | 0,498 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD17P06TM
Code Commande15R3444
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET Series
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits