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FQD3P50TM
Power MOSFET, P Channel, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
2 510 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,390 $ |
| 10+ | 2,280 $ |
| 100+ | 1,640 $ |
| 500+ | 1,360 $ |
| 1000+ | 1,330 $ |
| 2500+ | 1,310 $ |
| 10000+ | 1,280 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,39 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD3P50TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande84Y9966
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance3.9ohm
On Resistance Rds(on)3.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage-10V
Gate Source Threshold Voltage Max-5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3.9ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
-5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
On Resistance Rds(on)
3.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
-10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit