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FQD7N20LTM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD7N20LTM
Code Commande54AH8755
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
142 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,362 $ |
| 10+ | 0,362 $ |
| 25+ | 0,362 $ |
| 50+ | 0,362 $ |
| 100+ | 0,362 $ |
| 250+ | 0,362 $ |
| 500+ | 0,362 $ |
| 1000+ | 0,362 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,36 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD7N20LTM
Code Commande54AH8755
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance0.59ohm
On Resistance Rds(on)0.59ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation45W
Power Dissipation Pd45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET Series
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour FQD7N20LTM
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.59ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
On Resistance Rds(on)
0.59ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit