Imprimer la page
FQD8P10TM
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD8P10TM
Code Commande
Mise en bobine31Y1531
Bandes découpées31Y1531
Votre numéro de pièce
Fiche technique
7 095 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,820 $ |
| 10+ | 1,220 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 0,975 $ |
| 100+ | 0,855 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD8P10TM
Code Commande
Mise en bobine31Y1531
Bandes découpées31Y1531
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd44W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FQD8P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 12nC typical low gate charge
- 30pF typical low Crss
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
44W
Power Dissipation
44W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FQD8P10TM
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits