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999 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,440 $ |
10+ | 2,350 $ |
100+ | 2,280 $ |
500+ | 2,160 $ |
1000+ | 2,130 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQP11N40C
Code Commande31Y1543
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance0.43ohm
On Resistance Rds(on)0.43ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd135W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation135W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The FQP11N40C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 28nC typical low gate charge
- 85pF typical low Crss
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
0.43ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
135W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
On Resistance Rds(on)
0.43ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FQP11N40C
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits