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FQP45N15V2
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Through Hole
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718 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,720 $ |
| 10+ | 2,390 $ |
| 100+ | 2,270 $ |
| 500+ | 2,210 $ |
| 1000+ | 2,060 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQP45N15V2
Code Commande97K0185
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation220W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FQP45N15V2 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 72nC typical low gate charge
- 135pF typical low Crss
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
220W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits