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FQPF9N25CT
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQPF9N25CT
Code Commande31K6837
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 101 semaine(s)
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQPF9N25CT
Code Commande31K6837
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id8.8A
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd38W
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeQFET Series
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
38W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
QFET Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit