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FQU2N90TU-AM002
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.7 A, 5.6 ohm, TO-251 (IPAK), Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQU2N90TU-AM002
Code Commande48AC1194
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 101 semaine(s)
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQU2N90TU-AM002
Code Commande48AC1194
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.7A
On Resistance Rds(on)5.6ohm
Drain Source On State Resistance5.6ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation50W
Power Dissipation Pd50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeQFET Series
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
On Resistance Rds(on)
5.6ohm
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Drain Source On State Resistance
5.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
50W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
QFET Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit