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HUF75321P3
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75321P3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande58K1601
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 350+ | 1,580 $ |
| 700+ | 1,320 $ |
| 1050+ | 1,270 $ |
| 1750+ | 1,240 $ |
| 3500+ | 1,220 $ |
| 8750+ | 1,190 $ |
| 17500+ | 1,170 $ |
| 35000+ | 1,140 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 350
Multiple: 350
553,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75321P3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande58K1601
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd93W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220AB
Power Dissipation93W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Power Dissipation Pd
93W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
93W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit