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2 665 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,410 $ |
10+ | 1,040 $ |
25+ | 0,914 $ |
50+ | 0,795 $ |
100+ | 0,677 $ |
250+ | 0,611 $ |
500+ | 0,543 $ |
1000+ | 0,492 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,41 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantIRFM120ATF
Code Commande31Y2065
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.4W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour IRFM120ATF
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits