Imprimer la page
J111
RF FET Transistor, 35 V, 625 mW, TO-92
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ111Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande58M7829
Votre numéro de pièce
385 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,463 $ |
| 10+ | 0,365 $ |
| 100+ | 0,214 $ |
| 500+ | 0,177 $ |
| 1000+ | 0,159 $ |
| 2500+ | 0,144 $ |
| 10000+ | 0,134 $ |
| 25000+ | 0,132 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
2,32 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ111Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande58M7829
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds35V
Gate Source Breakdown Voltage Max35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Power Dissipation625mW
Power Dissipation Pd625mW
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
RF Transistor CaseTO-92
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Power Dissipation Pd
625mW
No. of Pins
3 Pin
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Gate Source Breakdown Voltage Max
35V
Power Dissipation
625mW
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
RF Transistor Case
TO-92
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour J111
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit