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J111
JFET Transistor, 35 V, 20 mA, 10 VDC, TO-92, 3 Pin, 150 °C
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,601 $ |
| 10+ | 0,378 $ |
| 100+ | 0,178 $ |
| 500+ | 0,153 $ |
| 1000+ | 0,142 $ |
| 2500+ | 0,141 $ |
| 10000+ | 0,132 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ111
Code Commande58K8917
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds35V
Gate Source Breakdown Voltage Max35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Continuous Drain Current Id-
Gate Source Cutoff Voltage Max10VDC
Power Dissipation Pd625mW
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
No. of Pins3Pins
RF Transistor CaseTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
J111 is a N-channel JFET chopper transistor. This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
- 50mA Forward gate current
- Gate source breakdown voltage is 35VDC at (IG = -1.0Adc)
- Gate source cutoff voltage is -10VDC at (VDS = 5Vdc, ID = 1Adc)
- 5pF drain gate off-capacitance at (VGS = -10Vdc, f = 1MHz)
- 5pF source gate off-capacitance at (VGS = -10Vdc, f = 1MHz)
- 625mW power dissipation
- 3 pin TO-92 package
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
10VDC
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Source Breakdown Voltage Max
35V
Continuous Drain Current Id
-
Power Dissipation Pd
625mW
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
RF Transistor Case
TO-92
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits