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FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ111Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande58K8917
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ111Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande58K8917
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max35V
Drain Source Voltage Vds35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Continuous Drain Current Id-
Gate Source Cutoff Voltage Max10VDC
Power Dissipation Pd625mW
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
RF Transistor CaseTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
J111 is a N-channel JFET chopper transistor. This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
- 50mA Forward gate current
- Gate source breakdown voltage is 35VDC at (IG = -1.0Adc)
- Gate source cutoff voltage is -10VDC at (VDS = 5Vdc, ID = 1Adc)
- 5pF drain gate off-capacitance at (VGS = -10Vdc, f = 1MHz)
- 5pF source gate off-capacitance at (VGS = -10Vdc, f = 1MHz)
- 625mW power dissipation
- 3 pin TO-92 package
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
10VDC
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
35V
Continuous Drain Current Id
-
Power Dissipation Pd
625mW
No. of Pins
3 Pin
No. of Pins
3Pins
RF Transistor Case
TO-92
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
