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J112-D26Z
JFET Transistor, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pin, 150 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | J112-D26ZCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK5468 Mise en bobine31Y2106RL Bandes découpées31Y2106 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
4 150 En Stock
4 150 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,949 $ | 4,74 $ |
| Total Prix | 4,74 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,949 $ |
| 10+ | 0,605 $ |
| 15+ | 0,554 $ |
| 25+ | 0,505 $ |
| 50+ | 0,455 $ |
| 125+ | 0,406 $ |
| 250+ | 0,363 $ |
| 500+ | 0,319 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,283 $ |
| 4000+ | 0,269 $ |
| 6000+ | 0,242 $ |
| 10000+ | 0,221 $ |
| 20000+ | 0,207 $ |
| 50000+ | 0,195 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | J112-D26ZCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK5468 Mise en bobine31Y2106RL Bandes découpées31Y2106 |
| Fiche technique | |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -35V |
| Breakdown Voltage Vbr | -35V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | - |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 5mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -5V |
| Transistor Case Style | TO-226AA |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Transistor Type | JFET |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The J112_D26Z is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Spécifications techniques
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -35V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | - |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -5V |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Breakdown Voltage Vbr | -35V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 5mA |
| Transistor Case Style | TO-226AA |
| Transistor Type | JFET |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | - |
| MSL | - |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour J112-D26Z
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |