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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 12 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,479 $ |
3000+ | 0,469 $ |
6000+ | 0,435 $ |
12000+ | 0,409 $ |
18000+ | 0,384 $ |
30000+ | 0,367 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 197,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMC1413BDR2G
Code Commande17H1571
Fiche technique
No. of Pins16Pins
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MC1413BDR2G is a NPN high current Darlington Bipolar Transistor Array suitable for driving lamps, relays or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. It has high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500mA permit them to drive incandescent lamps. The device with a 2.7kΩ series input resistor is well suited for systems utilizing a 5V TTL or CMOS logic.
- High voltage
- -40 to 85°C Operating ambient temperature range
Spécifications techniques
No. of Pins
16Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit