Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
3000+ | 0,198 $ |
6000+ | 0,174 $ |
12000+ | 0,156 $ |
18000+ | 0,145 $ |
30000+ | 0,132 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
594,00 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMGSF2N02ELT1G
Code Commande83H7320
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance85mohm
On Resistance Rds(on)0.078ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The MGSF2N02ELT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- IDSS Specified at elevated temperature
- -55 to 150°C Operating temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
On Resistance Rds(on)
0.078ohm
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour MGSF2N02ELT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit