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MJ11016G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 10+ | 5,510 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11016G
Code Commande26K4505
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max120V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd200W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current30A
DC Collector Current30A
Power Dissipation200W
RF Transistor CaseTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor Case StyleTO-204AA
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Transition Frequency
-
DC Collector Current
30A
RF Transistor Case
TO-3
No. of Pins
2Pins
Transistor Case Style
TO-204AA
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation Pd
200W
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE
200hFE
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits