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MJ11016G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,020 $ |
| 10+ | 5,900 $ |
| 25+ | 5,480 $ |
| 50+ | 5,080 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11016G
Code Commande26K4505
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max120V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Transition Frequency-
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
Power Dissipation200W
RF Transistor CaseTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleTO-204AA
DC Current Gain hFE200hFE
Operating Temperature Max200°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Continuous Collector Current
30A
DC Collector Current
30A
RF Transistor Case
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE
200hFE
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
120V
Transition Frequency
-
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-204AA
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits