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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 17,490 $ |
10+ | 12,810 $ |
25+ | 12,710 $ |
50+ | 12,600 $ |
100+ | 11,610 $ |
300+ | 11,300 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11032G
Code Commande26K4507
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Collector Emitter Voltage Max120V
Power Dissipation Pd300W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current50A
Power Dissipation300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-204
No. of Pins2Pins
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE400hFE
Transistor Case StyleTO-204
DC Current Gain hFE Min400hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
120V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
300W
RF Transistor Case
TO-204
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-204
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Power Dissipation Pd
300W
Continuous Collector Current
50A
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE
400hFE
DC Current Gain hFE Min
400hFE
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit