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Quantité | Prix |
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10+ | 14,530 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11032G
Code Commande26K4507
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max120V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd300W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current50A
Power Dissipation300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-204
No. of Pins2Pins
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-204
DC Current Gain hFE400hFE
Operating Temperature Max200°C
DC Current Gain hFE Min400hFE
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
300W
RF Transistor Case
TO-204
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE
400hFE
DC Current Gain hFE Min
400hFE
Product Range
-
SVHC
Lead
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation Pd
300W
Continuous Collector Current
50A
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Case Style
TO-204
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit