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MJ11033G
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, TO-3, 2 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11033G
Code Commande26K4508
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Collector Emitter Voltage Max120V
Transition Frequency-
Power Dissipation Pd300W
Continuous Collector Current50A
Power Dissipation300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE18000hFE
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
DC Current Gain hFE Min18000hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ11033G is a PNP Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
18000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
18000hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Transition Frequency
-
Continuous Collector Current
50A
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Case Style
TO-3
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits