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MJ15022G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,720 $ |
| 10+ | 7,040 $ |
| 25+ | 7,020 $ |
| 50+ | 7,000 $ |
| 100+ | 6,180 $ |
| 300+ | 5,650 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ15022G
Code Commande26K4518
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max200V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo200V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
DC Collector Current16A
DC Current Gain hFE60hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleTO-3
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min60hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ15022G is a 200V Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications.
- High DC current gain
- High safe operating area
- Collector-base voltage (Vcbo = 350V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Applications
Audio, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
200V
Power Dissipation
250W
DC Collector Current
16A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-3
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
200V
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation Pd
250W
DC Current Gain hFE
60hFE
No. of Pins
2Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits