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MJ21194G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 16 A, 250 W, TO-3, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ21194GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande26K4523
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,790 $ |
| 10+ | 8,480 $ |
| 25+ | 7,840 $ |
| 50+ | 7,220 $ |
| 100+ | 6,590 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ21194GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande26K4523
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
DC Collector Current16A
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-3
No. of Pins2Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
DC Current Gain hFE8hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
MJ21194G is a 250V silicon NPN bipolar power transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- High SOA
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation Pd
250W
DC Collector Current
16A
Transistor Case Style
TO-3
Transition Frequency
4MHz
DC Current Gain hFE
8hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
250W
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit