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MJ21196G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, NPN, 250 V, 16 A, 250 W, TO-3, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,550 $ |
| 10+ | 7,380 $ |
| 25+ | 7,010 $ |
| 50+ | 6,620 $ |
| 100+ | 6,250 $ |
| 300+ | 5,760 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ21196G
Code Commande26K4525
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
DC Collector Current16A
DC Current Gain hFE25hFE
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-3
No. of Pins2Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ21196G is a 250V Silicon NPN Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- High SOA
Applications
Audio, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Power Dissipation Pd
250W
DC Collector Current
16A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
250W
DC Current Gain hFE
25hFE
Transistor Case Style
TO-3
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits