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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,880 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJB45H11GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande82Y6985
Gamme de produitMJxxxx
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current10A
DC Collector Current10A
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation2W
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE40hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJxxxx
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
80V
DC Collector Current
10A
Power Dissipation
2W
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
MJxxxx
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation Pd
2W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE
40hFE
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJB45H11G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit