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MJD112G
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,000 $ |
| 10+ | 0,798 $ |
| 100+ | 0,341 $ |
| 500+ | 0,320 $ |
| 1000+ | 0,298 $ |
| 2500+ | 0,263 $ |
| 10000+ | 0,259 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112GCopie
Code Commande58M9087
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Continuous Collector Current2A
Transition Frequency25MHz
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
Power Dissipation1.75W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min12000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
25MHz
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
1.75W
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
1000hFE
DC Current Gain hFE Min
12000hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits