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MJD112RLG
Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 100 V, 2 A, 20 W
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112RLGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande71J5846
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1800+ | 0,571 $ |
| 3600+ | 0,567 $ |
| 5400+ | 0,564 $ |
| 9000+ | 0,560 $ |
| 18000+ | 0,553 $ |
| 45000+ | 0,546 $ |
| 90000+ | 0,535 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1800
Multiple: 1800
1 027,80 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112RLGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande71J5846
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max NPN100V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN2A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN20W
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN1000hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN25MHz
Transition Frequency PNP-
QualificationAEC-Q101
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
100V
Continuous Collector Current NPN
2A
Power Dissipation NPN
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min NPN
1000hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency NPN
25MHz
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit