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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,428 $ |
10+ | 0,427 $ |
25+ | 0,426 $ |
50+ | 0,426 $ |
100+ | 0,391 $ |
250+ | 0,391 $ |
500+ | 0,361 $ |
1000+ | 0,361 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112T4G
Code Commande10N9468
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current2A
Transition Frequency25MHz
Power Dissipation20W
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min12hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead
Produits de remplacement pour MJD112T4G
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The MJD112T4G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Applications
Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
100V
Transition Frequency
25MHz
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
20W
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
12hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits